一种CMOS兼容的高密度触觉传感器阵列及其制备方法

本发明涉及触觉传感器技术领域，尤其涉及一种CMOS兼容的高密度触觉传感器阵列及其制备方法，包括：微/纳米结构压力敏感薄膜，包括导电网络和弹性聚合物基底，产生形变信号并产生电流变化信号；CMOS读出集成电路，与所述微/纳米结构压力敏感薄膜电连接，CMOS读出集成电路的像素阵列为640×512，像素尺寸为15×15μm，每个像素均包括中心像素电极和周围接地栅格，用于采集/测量微/纳米结构压力敏感薄膜的电阻变化；信号处理电路与所述CMOS读出集成电路电连接，用于对触觉信号数据进行处理，本申请解决了现有技术存在的分辨率限制、灵敏度不足、集成度低的问题。