一种抗热衰红光Micro LED外延结构及制备方法

本申请公开了一种抗热衰红光Micro LED外延结构及其制备方法，所述外延结构从下至上依次包括衬底层、n型缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型欧姆接触层、n型限制层、量子阱结构、p型间隔层、p型电子阻挡层及p型欧姆接触层；其中量子阱结构由1–5对InGaP阱层和三段式p型AlGaInP势垒层交替构成，三段势垒层采用梯度能级设计且均进行p型掺杂；本发明通过梯度能级势垒阻挡电子溢出、p型掺杂补充空穴浓度，解决了现有技术高温下载流子损失与复合效率低的问题，使85℃外量子效率衰减率≤10%，寿命延长至5万小时以上，且工艺兼容量产，适用于显示、照明等领域。