一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法

本申请公开了一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法，该芯片结构从下至上依次包括GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型GaAs欧姆接触层、n型限制层、非掺杂InGaP/量子阱结构、p型间隔层、p型AlGaInP极化诱导掺杂层、插入层及n型欧姆接触层；其中，p型AlGaInP极化诱导掺杂层通过Al组分渐变设计引入压电极化电场，诱导形成高密度二维空穴气，高Al组分插入层与n型欧姆接触层构成隧穿结；本发明从根本上解决了高Al组分AlGaInP材料p型掺杂效率低、电阻率高的问题，简化了外延结构与芯片工艺，使芯片串联电阻降低、发光效率提升、良率提升，具有显著的技术与商业价值。