半导体器件的制造方法

本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件的制造方法。该制造方法包括：从晶圆的第一面修整晶圆的边缘区形成台阶，台阶包括台阶面和台阶侧面，台阶面的宽度小于等于边缘区的宽度；在晶圆的第一面和台阶侧面形成粘合层，以将晶圆固定在载片上；其中，台阶面包括沿晶圆周向排布的多个区域，多个区域中的第一区域与粘合层的接触面积小于第二区域与粘合层的接触面积；从第二面切割第一区域所在的边缘区，切口从第二面延伸到台阶面；从第二面对晶圆执行减薄工艺。本公开通过在减薄工艺前对第一区域所在的边缘区进行切割，减小台阶面的宽度以使晶圆减薄处理中第一区域受到的力矩减小，降低边缘压塌的风险，从而提高芯片的良率和可靠性。