封装结构及其形成方法

一种封装结构及其形成方法，结构包括：第一基板，第一基板包括芯片连接区域，第一基板包括核心层以及位于核心层顶部的第一介电层，芯片连接区域的第一介电层中设置有一层或多层第一导电层，芯片连接区域的第一介电层和核心层中贯穿有散热柱，且核心层的热膨胀系数与第一介电层的热膨胀系数相接近；第二基板，设置于第一基板的底面，第二基板包括第二介电层以及位于第二介电层中的一层或多层第二导电层，第二介电层的热膨胀系数与核心层的热膨胀系数相接近；芯片，设置于第一基板的顶面，芯片与散热柱相接触连接；散热结构，设置于芯片上且与其接触。芯片的散热性能得到大大提升的同时，还能降低第一基板和第二基板出现翘曲的风险。