一种Si基混合集成Micro-LED芯片及制备方法

本申请公开了一种Si基混合集成Micro‑LED芯片及制备方法，芯片以Si衬底为核心集成载体，正面通过区域化选择性外延直接生长GaN基蓝绿光Micro‑LED阵列，同时通过晶圆键合集成AlGaInP基红光Micro‑LED阵列，背面集成CMOS驱动电路；GaN基蓝绿光与AlGaInP基红光阵列的p型层表面均覆盖透明导电层及复合正电极，Si衬底背面制备复合负电极并与CMOS驱动电路互联；本发明通过AlGaInP材料体系解决传统GaN基红光效率低的问题，减少转移次数，结合高导热性与兼容性，实现全彩Micro‑LED的高效集成，兼具高发光率、高良率、强可靠性与广应用兼容性，适用于多种全彩显示场景。