摘要
本申请公开了一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法,包括S1,蓝光Micro LED芯片预处理;S2,光刻工艺处理;S3,涂覆硅胶荧光粉混合物;S4,真空静置与高温固化;S5,高精度研磨减薄;S6,光刻胶去除;可选S7,增设挡光结构制备步骤;通过光刻定义荧光粉区域、真空沉降控厚、分步研磨及挡光结构优化,解决现有工艺串扰高、荧光粉层均匀性差、良率低的问题,实现像素间串扰率≤5%、荧光粉层厚度偏差≤2.5μm、芯片制备良率≥90%;还可通过钝化层、电极及硅胶耐候性优化,适配船舶耐盐雾等特殊场景,使用寿命≥5年;工艺与现有产线兼容,适用于汽车、船舶等多场景Micro LED矩阵大灯制备。
技术关键词
矩阵大灯
挡光结构
光刻胶
去胶液
硅胶
双层金属结构
像素点
光刻工艺
混合物
控制表面粗糙度
钛白粉
芯片
荧光粉层厚度
量子点荧光粉
接触层结构
耦合等离子体
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