一种TSV套刻偏移检测结构及其检测方法

本发明提供一种TSV套刻偏移检测结构及其检测方法，本发明的TSV套刻偏移检测结构包括：第一晶圆，其键合面上形成有第一金属层；第二晶圆，与第一晶圆键合，第二晶圆内至少形成有两个TSV通孔，在第二晶圆的键合面上形成有第二金属层，在第二晶圆的非键合面形成与TSV通孔电性连接重新布线层；至少三个测试组，每个测试组中TSV通孔与第一金属层之间的预设偏移量不同；测试探针，位于重新布线层上，用于施加测试信号并采集电学参数。根据对应关系可以判断出晶圆和晶圆键合是否发生偏移，以及准确计算出偏移量。