一种共源共栅GaN器件及其制备方法

本发明涉及半导体领域，公开了一种共源共栅GaN器件及其制备方法，共源共栅GaN器件包括引线框架基岛、MOS芯片和GaN芯片；引线框架基岛上设有作为GaN器件的源极的第一导电区；MOS芯片的源极设在背面、栅极和漏极设在其正面；MOS芯片背面的源极与第一导电区电连接；GaN芯片叠放在MOS芯片上：GaN芯片的源极、栅极和漏极设置在其正面，GaN芯片的背面也设有其源极，GaN芯片背面的源极与MOS芯片正面的漏极电连接；或MOS芯片正面也设有源极，GaN芯片正面设有漏极、背面设有源极和栅极，GaN芯片背面的源极、栅极与MOS芯片正面的漏极、源极对应地电连接。本发明能够减小GaN器件体积、降低其成本。