功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法

AITNT
正文
推荐专利
功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法
申请号:CN202511462033
申请日期:2025-10-14
公开号:CN120933240A
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
本申请实施例提供了一种功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法,属于半导体技术领域。该封装结构包括外壳、基板、功率模块芯片和NTC热敏电阻,其中,外壳通过螺栓与基板固定连接,功率模块芯片和NTC热敏电阻安装于基板上;外壳上开设有观测孔阵列,观测孔阵列位于功率模块芯片上方,用于为功率模块芯片的芯片结温提供红外测温通道;NTC热敏电阻用于检测功率模块芯片的芯片NTC温度信号。本申请实施例能够提高结温测量精度,直接检测芯片实际工作时的实际结温。
技术关键词
NTC热敏电阻 功率模块 NTC温度检测 封装结构 芯片测温方法 结温 信号端子 底漆涂层 红外测温模块 基板 温升 阵列 外壳 可读存储介质 测温系统
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种车规级芯片的封装方法及封装结构
布线 封装方法 功率模块 半成品板 铜块
2
超导量子干涉器件读出电路、读出方法及测量系统
超导量子干涉器件 温度控制单元 读出方法 采集单元 信号
3
垂直型半导体器件的并联封装结构
垂直型半导体器件 封装结构 芯片 底板 栅极
4
一种半导体芯片封装结构
半导体芯片封装结构 下模板 上模板 气嘴 支撑座
5
一种封装结构及其制作方法
硅中介层 金属互连 布线 封装结构 芯片
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号