一种新型低温贴片式射频衰减器芯片结构

本发明公开了一种新型低温贴片式射频衰减器芯片结构，属于衰减器芯片技术领域，该衰减器芯片结构包括传输端口一、接地电阻一、接地电阻二、中心电阻、地参考面一、地参考面二、衬底、接地电阻三、接地电阻四、传输端口二、射频焊盘一、接地焊盘一、接地焊盘二和射频焊盘二。本发明通过对衰减器芯片尺寸优化调整可适配1mm长度以上任意封装尺寸，保证衰减器在低温环境和高频有良好性能；通过中心导体带、两侧的地平面以及它们之间的介质层实现电磁波的传播和衰减，大幅提高高频电磁波在芯片上的传输性能和低温下的稳定性；通过对芯片背面焊盘分块处理，通过四个焊盘电阻变化，实现对五个电阻区域的精确调阻，保证不同批次芯片的稳定性和一致性。