基于簇内平方误差的半导体缺陷分析方法、装置及设备

本发明提供了一种基于簇内平方误差的半导体缺陷分析方法、装置及设备，属于半导体制造领域，具体包括获取数据集中的待聚类数据；从1到N遍历聚类数，并分别计算K‑means算法下每种聚类数对应的待聚类数据的簇内平方误差，N为不小于5的自然数；基于簇内平方误差的差分二阶统计量，动态确定针对待聚类数据的最优聚类数；根据最优聚类数对待聚类数据进行聚类，并对每一类的聚类中心进行分析，确定每一类的缺陷。通过本申请的处理方案，动态确定最优聚类数，并且提升了缺陷分析准确率。