计算瞬态芯片功率下三维微系统瞬态温度的方法

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计算瞬态芯片功率下三维微系统瞬态温度的方法
申请号:CN202511468126
申请日期:2025-10-15
公开号:CN120974770A
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种计算瞬态芯片功率下三维微系统瞬态温度的方法,属于微电子技术领域,包括:确定基板层和微焊盘层的各向异性等效热导率;以芯片为热源,对每个芯片产生的热流密度进行傅里叶级数展开,得到每个基板层的上表面由芯片所产生的总热流密度;根据总热流密度,构建固定芯片功率下的瞬态热解析模型;在多个连续的时间段内逐次更新瞬态热解析模型中各芯片的芯片功率,得到三维微系统在所有时间节点的瞬态温度场。由于本发明在构建固定芯片功率下的瞬态热解析模型时,考虑了三维微系统中芯片功率随时间发生改变的情况,因此计算得到的温度具有更高的精度,同时大幅提高了计算效率。
技术关键词
三维微系统 芯片 瞬态温度场 时间段 温升 节点 基板 功率提升 变量 硅衬底 坐标 稳态 结温 方程 密度 阵列 热源 焊球 特征值
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