一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法

本申请提供了一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法，其中，测试结构集成于待测晶圆的切割道中，且与所述待测晶圆中的器件同步形成，所述测试结构包括：隔离沟槽和有源区，所述有源区位于所述隔离沟槽两侧且互联，在所述有源区内设有源漏掺杂区域；所述隔离沟槽的长度大于设定值且所述隔离沟槽为分立式结构，在所述隔离沟槽内设有填充层。本申请能够避免晶圆报废，实现晶圆零损耗的缺陷监控，且能够通过电学参数量化Si位错缺陷，有助于提高晶圆良率。