覆膜式多通道电化学芯片及其膜组加工方法

本发明涉及覆膜式多通道电化学芯片及其膜组加工方法，所述覆膜式多通道电化学芯片的芯片本体表面覆盖有第一膜组和第二膜组；所述第一膜组设有第一孔位，所述第二膜组包括中心部分和在径向上超出所述中心部分的外围部分，所述中心部分用于嵌入所述第一孔位并设有第二孔位，所述第一孔位的面积大于第二孔位的面积；所述第二膜组的中心部分与外围部分的高度差值大于等于所述第一膜组的高度，且所述第二膜组与所述芯片本体的表面的附着层的粘度低于其自身其余附着层的粘度，以能够在剥离所述第二膜组之前形成第二井型立体结构并在剥离所述第二膜组之后形成第一井型立体结构。该芯片通过剥离第二膜组这种简单的操作，即可实现反应池由小变大的目的。