改善晶圆多形态翘曲的方法及系统

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改善晶圆多形态翘曲的方法及系统
申请号:CN202511474033
申请日期:2025-10-15
公开号:CN120974844A
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种改善晶圆多形态翘曲的方法及系统,方法包括步骤:1)测量晶圆的初始翘曲形貌,获取形变分布数据;2)通过有限元仿真模型计算晶圆翘曲的三维形变并以此为基础,基于所述实测形变分布数据,通过线性叠加法优化晶圆背面应力膜的参数,使应力膜产生与初始翘曲形貌相反的形变分布;3)在晶圆背面制备出弓形应力膜;4)测量优化后的晶圆的形变分布数据;5)判断优化后的晶圆的翘曲值是否满足要求;6)通过反推修正应力膜的参数,并修正应力膜的参数。本发明可抵消各种类型的初始形变,以达到最大程度上减小生产流程中特定步骤产生翘曲,充分保证产品质量和可靠性要求。
技术关键词
应力 仿真模型 弓形 功率器件 形态 正面 晶圆背面 参数 力矩 矫正系统 绝缘栅双极型晶体管 拉普拉斯方程 薄膜沉积工艺 衬底 反馈控制模块 粒子群优化算法 密度 非中心对称 模拟退火算法
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