掩膜版组及其制造方法、掩膜版成像偏差校正方法及系统

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掩膜版组及其制造方法、掩膜版成像偏差校正方法及系统
申请号:CN202511475915
申请日期:2025-10-16
公开号:CN120949503B
公开日期:2025-12-30
类型:发明专利
摘要
本申请实施例提供了一种掩膜版组及其制造方法、掩膜版成像偏差校正方法及系统,该掩膜版组包括:多个掩膜版;在对多个掩膜版进行光学成像的过程中,多个掩膜版上的掩膜图案的理论最佳聚焦值相同;其中,多个掩膜版上的掩膜图案包括相同的监控图案;监控图案用于对掩膜版上的掩膜图案进行光学成像偏差校正,使得在对多个掩膜版进行光学成像的过程中,多个掩膜版上的掩膜图案的实际最佳聚焦值相对于理论最佳聚焦值的偏移量落入掩膜版组对应工艺制程节点的7.0%至7.5%的指定数值范围内。通过本申请实施例,减少了多个掩膜版上的掩膜图案的实际最佳聚焦值相对于理论最佳聚焦值的偏移,提升了同一掩膜版组中多个掩膜版光学成像的一致性。
技术关键词
掩膜版组 基准 光学成像 掩膜图案 偏差校正方法 统计特征 尺寸 光强 光学邻近校正模型 偏差校正系统 理论 芯片 数值 数据 制程
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