多量子阱层及其制备方法、外延片及双色发光LED芯片

本发明提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及双色发光LED芯片，多量子阱层包括周期性层叠设置的第一发光多量子阱层、插入层以及第二发光多量子阱层；其中，第一发光多量子阱层当中的阱层的In组分含量不同于第二发光多量子阱层当中的阱层的In组分含量，使得第一发光多量子阱层的峰值波长与第二发光多量子阱层的峰值波长分别处于不同颜色对应的波长范围，以使多量子阱层实现两种不同颜色的发光，插入层包括AlxGa(1‑x)N层，X为0~1。本发明解决了现有技术中的LED芯片作为背光源时无法兼顾画面视觉效果和发光效率的问题。