一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元

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推荐专利
一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元
申请号:CN202511476984
申请日期:2025-10-16
公开号:CN120977344B
公开日期:2025-12-26
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元,属于存内计算领域。本文设计了一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元,包括MOS管M1‑MOS管M10、电容C1、电容CN1、电容C2、电容CN2、灵敏放大器SA。本发明利用FeRAM 2T2C结构两个cell中存储相反信息的特性,通过开关MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10不同的开启组合,实现“与”、“或”和“非”三种基本的布尔逻辑运算,实现存储和计算的深度融合,有望显著提升智能芯片的处理速度并降低计算功耗。
技术关键词
灵敏放大器 电容 位线 栅极 输入端 智能芯片 电压 功耗 开关
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沪ICP备2023015588号