一种嵌入式功率芯片封装结构及其制备方法

本发明提供一种嵌入式功率芯片封装结构及其制备方法，包括：金属层，设有凹槽；凹槽底部设通孔；芯片设于凹槽中；第一烧结金属层，芯片下电极与凹槽通过第一烧结金属层连接；树脂层，填充于凹槽中；上电极铜嵌件，与芯片上电极连接；绝缘导热层，设于通孔中；第二烧结金属层，设于芯片底面与绝缘导热层之间；散热器，设于金属层底部；第三烧结金属层，设于金属层与散热器之间，设有微流道。该封装结构以金属层替代DBC/AMB陶瓷基板，芯片嵌于金属层凹槽内，经烧结金属层与凹槽连接，减少陶瓷‑焊/钎料‑金属等中间界面数量，导热路径缩短、结热阻降低；芯片背侧设与散热器匹配的微流道，在高热通量工况下降低结‑底热阻，改善温度均匀性。