一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片

本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片。该芯片包括硅晶片、设置于硅晶片中的通孔和设置于硅晶片上的多阶环形浅沟槽隔离结构；在通孔内由孔壁向中心依次设置有绝缘层和导体层；多阶环形浅沟槽隔离结构包括由内向外设置的至少两个与通孔同轴且侧壁直接接触的环形浅沟槽和填充于环形浅沟槽中的填充材料；各个环形浅沟槽的深度不同。该芯片热应力水平低、高应力区域范围小，且制备工艺简单。