半导体芯片金属通孔断路风险评估方法及检测方法

本披露公开了一种半导体芯片金属通孔断路风险评估方法及检测方法。该半导体芯片金属通孔断路风险评估方法包括：对半导体芯片进行量测，以得到各待测金属通孔的量测数据；根据各待测金属通孔的量测数据形成各待测金属通孔的孤立因子和内在因子；根据优先级规则对比各待测金属通孔之间的孤立因子和/或内在因子，以形成各待测金属通孔断路的风险排序结果，其中，在优先级规则中，孤立因子的对比次序优先于内在因子。通过本披露实施例的方案能够将待测金属通孔按照发生断路缺陷的风险概率进行排序，从而在后续执行缺陷检测时，按照一定的优先级顺序进行针对性的检测，兼顾检测的精度和效率。