DRAM温度监测自刷新电路和DRAM

本公开实施例提供的DRAM温度监测自刷新电路和DRAM，包括：自刷新使能模块在接收到自刷新使能信号时，输出时钟信号至基准电压生成模块和逻辑模块；基准电压生成模块根据接收的时钟信号，确定第一时钟采样信号，并根据第一时钟采样信号生成基准电压至比较模块；比较模块根据基准电压和二极管电压，输出比较信号至逻辑模块；逻辑模块在比较信号为高电平时，根据时钟信号和比较信号，在第一时刻生成采样信号采集基准电压生成模块的第一时钟采样信号，以根据第一时钟采样信号生成温度识别信号，并根据温度识别信号和时钟信号确定芯片刷新时钟，以及在第二时刻生成复位信号至基准电压生成模块，以对基准电压生成模块的第一时钟采样信号进行复位。