一种半导体结构的制作方法

本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成无定形碳层；将沉积无定形碳层后的衬底放入等离子腔室内，在预设温度和预设功率下，通入氢气和氩气预设时间，对无定形碳层进行等离子处理，形成疏水层，疏水层包括‑CH3基团；对疏水层进行清洗；在疏水层上形成抗反射层；在抗反射层形成图案化光刻胶层，以图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层、疏水层、无定形碳层和待刻蚀层。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够在无定形碳层上形成疏水层，避免清洗过程中在无定形碳层表面上残留水分，提高芯片的性能以及良率。