高密度桥连封装方法和封装结构

本申请提供的一种高密度桥连封装方法和封装结构，涉及半导体封装技术领域。该高密度桥连封装方法包括提供具有第一芯片和第一金属柱的载具；第一芯片和第一金属柱设于载具的同一侧，且相互有间隔。第一芯片设有第一焊盘。第一芯片设有保护层，保护层具有露出第一焊盘的第一凹槽。在载具上形成包覆第一芯片和第一金属柱的第一塑封体。在第一塑封体上开设露出第一焊盘的第二凹槽。在第二凹槽形成与第一焊盘电连接的第一导电柱。在第一塑封体上形成第一布线层；第一布线层分别与第一金属柱和第一导电柱电连接。可避免第一导电柱的间隙过小导致塑封体填充不足的空洞现象，以及确保第一导电柱的间隙均匀，提升与布线层连接的可靠性。