一种芯片结构及其形成方法、芯片封装结构及其方法

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一种芯片结构及其形成方法、芯片封装结构及其方法
申请号:CN202511501786
申请日期:2025-10-21
公开号:CN121035087A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本公开实施例提供一种芯片结构及其形成方法、芯片封装结构及其方法,先在芯片的功能面依次堆叠形成第一介电层和第二介电层;对第二介电层进行图形化形成介电层凸块,介电层凸块用于与封装基板的阻焊层开窗相对应,阻焊层开窗内设置有焊盘;对介电层凸块和第一介电层同时进行图形化以形成开口;在开口内形成导电凸起。通过在第一介电层上形成与阻焊层开窗相对应的介电层凸块,并在介电层凸块和第一介电层上形成与焊盘相对应的导电凸起,在芯片贴装时在第一介电层和介电层凸块表面形成的非导电胶层也呈凸起状,从而可在热压焊接过程中,使得呈凸起状的非导电胶层优先填充于阻焊层开窗,排出其中的气体,避免空洞的形成,提高芯片封装结构的可靠性。
技术关键词
芯片结构 介电层 封装基板 芯片封装结构 光刻胶层 芯片封装方法 功能面 热压焊接工艺 非导电胶 导电胶层 上沉积 空洞 焊盘 气体
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