一种微型LED芯片及其外延层的制备方法

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一种微型LED芯片及其外延层的制备方法
申请号:CN202511507891
申请日期:2025-10-21
公开号:CN121038459A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种微型LED芯片和及其外延层的制备方法。该微型LED芯片,包括外延层,该外延层从下往上依次包括第一半导体层,有源层和第二半导体层,所述有源层中掺杂了一种或多种掺杂元素,所述一种或多种掺杂元素以均匀掺杂和渐变掺杂相结合的形式或间隔掺杂的形式掺杂在所述有源层中。本申请提供的制备微型LED芯片中的外延层方法,包括通过均匀掺杂和渐变掺杂相结合的方式将一种或多种掺杂元素对所述有源层进行掺杂;或者通过间隔掺杂的方式将一种或多种掺杂元素对所述有源层进行掺杂。该微型LED芯片能够调控外延层的应力以及发光的波长,提高有源层的内量子效率和光提取效率,进而提高微型LED显示芯片的外量子效率和亮度均匀性。
技术关键词
微型LED芯片 半导体层 元素 外延 LED显示芯片 层方法 衬底 缓冲层 亮度 波长 应力
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