一种微型发光二极管阵列的制备方法及芯片

本发明提供了一种微型发光二极管阵列芯片制备方法及芯片，涉及微型发光二极管显示技术领域，包括：在微型发光二极管外延片的上表面制备两种掩膜阵列，并根据其覆盖范围将微型发光二极管外延片划分为隔离区、保护区和像素区；实施离子注入，使得隔离区、保护区和像素区的离子注入杂质浓度依次降低；去除两种掩膜阵列；去除非发光区域的P型导电层和发光层，并在发光区域的P型导电层和非发光区域的N型导电层上分别制备P型电极层和N型电极层；进行切割得到微型发光二极管阵列芯片。本发明通过介质层和金属复合掩膜结构实现了微型发光二极管外延片的分区离子注入，解决了传统离子注入工艺不能同时调控离子注入杂质的深度分布与横向扩展的问题。