一种二维阵列型套刻误差光学测量标记设计方法及系统

本发明公开一种二维阵列型套刻误差光学测量标记设计方法及系统，涉及集成电路工艺量测技术领域。所述方法包括：设计二维阵列型套刻误差光学测量标记，并构建套刻误差的表征方法；基于所述表征方法构建多目标优化模型；利用多目标多元宇宙优化算法对所述多目标优化模型进行求解，得到最优标记结构；所述多目标多元宇宙优化算法为在原始多目标多元宇宙算法中引入拉丁超立方初始化方法、基于NMPSO算法的适应度评估机制和外部存档大小动态调整策略。本发明能够通过二维阵列型套刻标记同步测量两个方向上的套刻误差，并且基于结构优化设计提高了标记的测量性能。