一种基于电磁耦合相消技术的高阻带抑制开关芯片

本发明提出了一种基于电磁耦合相消技术的高阻带抑制开关芯片，开关内部的磁耦合不是由两个电感互耦产生的，而是交叉耦合电感产生的，其优势在于产生磁耦合的位置自由度高，可以灵活控制产生零点的个数与位置，在低频处引入额外的零点，实现阻带抑制。本发明利用由晶体管组和接地电感并联构成的晶体管谐振器，通过晶体管组的关断电容与接地电感谐振构成滤波网络，产生传输极点，且两个晶体管谐振器之间的的主耦合为电容耦合，通过调节主耦合电容的大小可以调节开关的极点位置和通带带宽，实现宽带性能。通过串联晶体管与串联电容，利用晶体管导通电感与串联电容谐振在隔离态产生新传输零点，提升了开关的隔离度。