多芯片高密度连接的光刻技术实现方法

本申请公开了多芯片高密度连接的光刻技术实现方法，包括：获取反映待曝光衬底上存在的原有图形单元的位置分布信息的衬底地图；根据衬底地图生成反映待装载的掩膜版需要曝光的原有图形单元在衬底上的位置分布信息的子地图；掩膜版上设置有将设定方向上至少两个芯片互连的版图信息；将掩膜版装载至光刻设备的掩模版载台并偏置；将衬底装载至光刻设备的载物台通过第一对准标记对准；基于子地图控制载物台按照设定方向及路径移动，通过第二对准标记使掩膜版与需要曝光的原有图形单元对准并偏置曝光，以将掩膜版图形转移至对应的曝光区域，从而实现多芯片互连。