一种多模式耦合的NAND存储芯片测试系统

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正文
推荐专利
一种多模式耦合的NAND存储芯片测试系统
申请号:CN202511531553
申请日期:2025-10-24
公开号:CN120994614A
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明涉及存储芯片测试技术领域,具体为一种多模式耦合的NAND存储芯片测试系统,系统包括忙信号采集模块、模式切换控制模块、驻留时间判定模块、异常片段归档模块、片段标签管理模块。本发明中,通过对信号占空比的统计与时间索引的结合实现对状态的精确捕捉,在电平由高到低的转换瞬间记录时序参数并形成模式切换标记,使不同测试模式下的时间序列被完整追踪,对高电平驻留时间的累加识别潜在异常区间,并在归档阶段将时间区间与模式标识进行关联和时序容限分离,使异常片段得到连续独立归档并附带可追溯时间标签,实现对潜在异常行为的及时识别与记录,提升对复杂模式下NAND芯片性能波动及时序异常的捕获能力,增强测试数据的完整性与可追溯性。
技术关键词
存储芯片测试系统 索引 子模块 序列 电平 多模式 信号采集模块 标签管理 采样点 标识 信号占空比 周期 时序 标记 时间同步 数据 控制模块
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