闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质

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推荐专利
闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质
申请号:CN202511539912
申请日期:2025-10-27
公开号:CN121011234A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质,该方法包括:获取多个擦写次数下瞬时退化速率随测试温度变化的关联关系;其中,在不同的测试温度下对作为样本的闪存颗粒进行擦写测试时得到误码率,瞬时退化速率与误码率随擦写次数增加时的变化速率对应;获取参考温度和参考擦写次数所对应的参考瞬时退化速率,基于参考瞬时退化速率和关联关系,确定目标温度下的等效擦写次数;其中,参考温度低于目标温度;在目标温度下按照等效擦写次数对待测试的闪存颗粒进行擦写测试。通过上述方式,本申请能够提高闪存颗粒测试的效率。
技术关键词
测试方法 误码率 退化模型 速率 非线性 样本 多层存储单元 关系 可读存储介质 偏差 电子设备 程序 计算机 处理器 数值 存储器 数据 参数 温差
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