摘要
本发明提供的一种倒装LED芯片及其制备方法,倒装芯片的电极结构中包含依次层叠的连接金属层、钝化层、保护金属层和共晶金属层;钝化层完全覆盖LED芯片的表面,有效阻断外界环境中水汽、颗粒等与芯片的接触路径;钝化层和保护金属层相互配合对芯片形成了完整的隔绝,有效避免基板上的颗粒物和金属凸起物刺伤芯片;同时,保护金属层面积大于共晶金属层且覆盖钝化层的通孔,保护金属层的边缘超出共晶金属层边缘。将LED芯片焊接至基板时,在共晶焊接的典型工艺温度下,保护金属层保持固态,不发生熔融液化,能有效阻挡液化的共晶金属流动至芯片内部,避免接触芯片内部的金属发生漏电、短路等电性不良问题。
技术关键词
倒装LED芯片
半导体多层结构
金属反射层
复合反射层
p型半导体层
欧姆接触层
共晶
通孔
导电
沉积接触金属层
生长衬底
芯片焊接
倒装芯片
电极结构
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