一种倒装LED芯片及其制备方法

AITNT
正文
推荐专利
一种倒装LED芯片及其制备方法
申请号:CN202511543563
申请日期:2025-10-28
公开号:CN121038465A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供的一种倒装LED芯片及其制备方法,倒装芯片的电极结构中包含依次层叠的连接金属层、钝化层、保护金属层和共晶金属层;钝化层完全覆盖LED芯片的表面,有效阻断外界环境中水汽、颗粒等与芯片的接触路径;钝化层和保护金属层相互配合对芯片形成了完整的隔绝,有效避免基板上的颗粒物和金属凸起物刺伤芯片;同时,保护金属层面积大于共晶金属层且覆盖钝化层的通孔,保护金属层的边缘超出共晶金属层边缘。将LED芯片焊接至基板时,在共晶焊接的典型工艺温度下,保护金属层保持固态,不发生熔融液化,能有效阻挡液化的共晶金属流动至芯片内部,避免接触芯片内部的金属发生漏电、短路等电性不良问题。
技术关键词
倒装LED芯片 半导体多层结构 金属反射层 复合反射层 p型半导体层 欧姆接触层 共晶 通孔 导电 沉积接触金属层 生长衬底 芯片焊接 倒装芯片 电极结构 包裹
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种基于侧壁原位处理的Micro-LED芯片及方法
LED芯片 外延 蚀刻 掩膜 电极
2
一种带有光反射结构和吸光结构的Si封装基板及其制备方法
光反射结构 封装基板 LED芯片 衬底 围墙
3
一种改善N电极电流拥挤效应的发光二极管芯片及其制备方法
电流拥挤效应 发光二极管芯片 蓝宝石图形衬底 量子阱发光层 电子阻挡层
4
一种倒装LED芯片及其制备方法
倒装LED芯片 倾斜界面 外延 剥离层 正性光刻胶
5
一种四角码型太赫兹吸收器及其设计方法
金属微结构 金属反射层 贴片 粒子群算法优化 因子
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号