一种面向5G射频前端的非易失性射频开关芯片

本发明提出了一种面向5G射频前端的非易失性射频开关芯片，输入端口、输入传输线、ReRAM核心区MIM单元组、输出传输线和输出端口依次电连接；环形地围绕在输入传输线、ReRAM核心区MIM单元组和输出传输线的外围。RAM核心MIM单元为三层的三明治结构，从下到上分别为底电极层、介质层、顶电极层；底电极与顶电极之间无电连接，由中间介质层完全隔离开。本发明利用n个ReRAM核心MIM单元同向等距排布构成ReRAM核心MIM单元组，降低开关导通电阻，显著降低插入损耗，引入渐变地线共面波导传输线以减轻间隙电容效应，实现隔离度提升并改善高频阻抗匹配。