一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法

本发明提供了一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法，涉及电力半导体器件制造技术领域，该方法通过在半导体晶圆表面通过激光开槽形成环形沟槽，结合闭管镓铝扩散工艺在沟槽内形成单个芯片的圆形PN结隔离墙；在隔离墙围成的单胞区域内进行硼磷双质扩散，形成PN结掺杂结构；采用光刻掩膜限定区域，通过HF/HNO3混合溶液化学腐蚀形成双角度台面结构；依次沉积半绝缘多晶硅层、双层玻璃钝化层；沿隔离墙激光切割分离单个芯片；在芯片阳极面烧结阳极钼片，在芯片阴极面真空蒸镀阴极铝膜并合金化形成电极。本发明能够通过晶圆级台面造型与无机钝化工艺提升芯片制造的一致性和稳定性。