一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法

本申请涉及一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法，结构包括异质结有源区、第一导电层、第二导电层、第一反射镜、第二反射镜、第一电极以及第二电极，其中第一导电层包括凸起的光波导限制结构，光波导限制结构向背离异质结有源区的一侧凸起，用于光场能量集中；第一电极与第一导电层欧姆接触形成第一欧姆接触区，第二电极与第二导电层欧姆接触形成第二欧姆接触区，第一欧姆接触区与第二欧姆接触区的正投影被光波导限制结构的正投影隔离。通过面内错位电极布局，结合异质结有源区的沟道传输特性与光波导限制结构的光场约束机制，增强了芯片的电流面内传输能力与光场能量累积效率，缓解了电极高电流负载问题。