芯片量产测试方法、装置、存储介质及电子设备

本申请公开了一种芯片量产测试方法、装置、存储介质及电子设备，其中，该芯片量产测试方法包括定义测试区间，测试区间包括至少一个子测试区间；从同一批次且属于相同corner的芯片集合中选取若干芯片作为观测样本，其余芯片作为测试对象；分别在子测试区间的起点和终点读取观测样本的温度传感器的温度数字码值，得到起点码和终点码；根据起点码和终点码得到第一温度变化量；基于第一温度变化量计算参考值和偏差阈值；获取每个测试对象在子测试区间的起点码和终点码得到第二温度变化量；计算第二温度变化量与参考值的偏差，根据该偏差与偏差阈值的比较确定测试对象是否合格。本申请实施例可以提升芯片产测的效率。