一种薄膜铌酸锂分束器的泄露模抑制方法

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一种薄膜铌酸锂分束器的泄露模抑制方法
申请号:CN202511556909
申请日期:2025-10-29
公开号:CN121028294A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种薄膜铌酸锂分束器的泄露模抑制方法。该分束器包括多模干涉耦合器和光栅耦合器两部分;其中多模干涉耦合器由输入波导、输出波导、输入锥形波导、输出锥形波导及多模干涉耦合区构成。光栅耦合器由周期性排列的具有特定倾斜角度的直波导构成。所述的光栅耦合器对称分布在多模干涉耦合器的输出波导的两侧,且光栅的周期满足相应的相位匹配条件。通过对光栅结构进行优化设计,有效滤除非互易性干涉信号,抑制泄露模在平面内的传播及其与传输模式之间的耦合。该方法显著降低了泄露模对光学系统性能的影响,实现了低损耗、低泄漏的分束器结构,从而提升了光学系统的整体性能。
技术关键词
波导 光栅耦合器 分束器 铌酸锂层 光子集成芯片 锥形 薄膜 光学系统 二氧化硅 包层材料 光栅结构 模式 低泄漏 周期性 输入端 光信号 衬底
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