摘要
本发明提供了一种电势场分布计算方法、计算机设备及存储介质,用于半导体器件的仿真,包括:将所述半导体器件模型划分为若干网格;将所述半导体器件模型等价为平行电容板和多种电介质的模拟组合,并将各个网格的电势划分为受外部电势差影响产生的第一电势和器件内部电荷聚集产生的第二电势;根据所述模拟组合构建各个网格的电势所满足的泊松方程;计算所述泊松方程的齐次项分量作为所述第一电势;根据所述齐次项分量的差分计算所述泊松方程的非齐次项分量作为所述第二电势;根据所述第一电势和所述第二电势计算获得各个网格的总电势。该方案能够实现使用非迭代法计算获得电势场分布,从而加快求解速度,提高仿真效率。
技术关键词
分布计算方法
半导体器件模型
网格
方程
计算机设备
计算机存储介质
界面
电容板
氧空位
处理器
误差
存储器
指令
阴极
阳极
代表
电极
密度