一种倒装LED芯片

本实用新型涉及半导体光电器件领域，具体公开了一种倒装LED芯片，其包括衬底，依次层叠于衬底上的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、电流阻挡层、透明导电层和第二电极；还包括裸露第一半导体层的第一通孔，设于第一通孔内的第一电极以及反射钝化层；第一电极、第二电极均包括依次层叠的接触层、至少一层复合反射层、连接层和保护层；接触层为Cr层、Ni层中的一种或两种组成的叠层结构；复合反射层包括依次层叠的Al层和Cu层，且Al层的厚度与Cu层的厚度之比≥40:1；连接层为Cr层、Ni层或两者组成的叠层结构；保护层为Ti层、Pt层、Ag层中的一种或至少两种组成的叠层结构。实施本实用新型，可提升倒装LED芯片的亮度，降低其生产成本。