功率半导体器件及其抗爆结构

本申请涉及半导体技术领域，公开一种功率半导体器件及其抗爆结构，该功率半导体器件包括芯片以及将芯片封装的管壳，芯片上设有阴极电极，阴极电极与管壳阴极连接，抗爆结构包括第一泄爆通道、第二泄爆通道以及泄爆空腔；第一泄爆通道贯穿设于阴极电极上并沿轴向延伸；第二泄爆通道设于管壳阴极上并沿轴向延伸，第一泄爆通道的一端与第二泄爆通道对应连通，另一端朝向芯片的一侧设置；泄爆空腔设于管壳阴极上，第二泄爆通道背离第一泄爆通道的一端与泄爆空腔连通，泄爆空腔能够将爆炸能量导出至管壳外部。本申请通过在阴极电极和管壳阴极上均设有泄爆通道，将内部的爆炸能量引导至泄爆通道，并经由泄爆空腔卸掉爆炸能量，从而提升管壳的抗爆能力。