概述
超高集成氮化镓功率器件控制与驱动0待机芯片研发
需求详情
需求开发一款高集成功率soc芯片,该芯片包含PWM数字控制核心、氮化镓栅极驱动器和数字算法反馈电路等,将以上器件三合一集成到一个封装内,采用第三代smart-feedback技术,让其数字环路自动适配其他品牌模拟反馈芯片,同时提升数字核心响应速度,实现0待机功耗,实现绿色能源,充分响应国家碳达蜂,碳中和的战略目标。技术指标:最终模块转换效率要大于95%, 待机功耗小于5mw,功率密度达到1.5w/cm3。
已过期:截止至2023-09-01
金额:300万元-350万元