概述

可以提供重掺硼硅片混酸腐蚀时药液残留产生的原理及相关应用的文献资料；可以提供能够批量稳定加工重掺硼硅片的成熟的混酸腐蚀工艺，酸腐蚀后硅片边缘无药液残留、色差、污迹等外观不良，平坦度等几何尺寸也须符合规范要求；交付时间：2023年9月

需求详情

研发成果简介：1、对混酸中各单酸浓度进行正交试验，发现提高硝酸浓度后，硅片边缘残留有所减轻，但是不能消除，而且提高硝酸浓度后，硅片的平坦度会恶化，此方案放弃；2、对腐蚀后洗净各工艺条件进行正交试验，包括化学药液浓度、洗净时间、洗净温度，效果不理想；3、在腐蚀后增加强碱清洗工艺，可以消除药液残留，但是会导致硅片表面金属含量恶化，此方案放弃。本项目目前处于工艺摸索阶段，现已组成5人攻关团队，包含1名博士、2名硕士，已投入资金200余万。目前的成果，可减少药液残留的发生面积，未能根除。核心需求描述：可以提供重掺硼硅片混酸腐蚀时药液残留产生的原理及相关应用的文献资料可以提供能够批量稳定加工重掺硼硅片的成熟的混酸腐蚀工艺，酸腐蚀后硅片边缘无药液残留、色差、污迹等外观不良，平坦度等几何尺寸也须符合规范要求交付时间：2023年9月对揭榜方要求：希望揭榜方有专业的研发团队，拥有半导体行业前沿的理论经验和完善的检测分析能力，对不同掺杂硅片的特性和混酸腐蚀的化学反应机理有深入的研究产权归属：上海中欣晶圆半导体科技有限公司利益分配：按劳分配，详细可谈。