概述

寻找碳化硅晶圆材料和加工方面的技术和解决方案，例如研磨、布线、抛光解决方案，包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD），切割、退火和表面处理手段，要求处理成品为高质量、低缺陷率的碳化硅晶圆

需求详情

碳化硅（SiC）凭借优异的热稳定性与电性能，成为高温、大功率半导体器件的核心材料，但其高硬度、化学惰性的特性给精密加工带来极大挑战。当前市场对大尺寸、低缺陷晶圆需求激增，12 英寸导电型 SiC 已成为技术突破焦点，而传统加工手段易导致晶体开裂、表面损伤等问题，制约器件性能提升。本方案针对法资企业对高质量晶圆的需求，整合材料制备与全流程加工技术，攻克切割损伤、研磨精度不足、沉积均匀性差等行业痛点，适配功率电子、5G 芯片等高端应用场景核心技术参数:材料基础：采用 4H-SiC 晶体，支持 6-12 英寸尺寸规格，导电型衬底电阻率控制在 0.012-0.025Ω・cm， micropipe 密度≤1cm⁻²，实现近 “零螺位错” 品质。关键加工指标：成品品质：成品晶圆缺陷率＜0.1%，厚度公差 ±25μm，经外延生长测试，器件可靠性提升 30% 以上，适配自动化量产需求。