一种失效芯片的分析方法

本发明公开了一种失效芯片的分析方法，属于半导体技术领域，所述分析方法至少包括：提供一衬底，所述衬底包括目标区和衬垫区；所述衬底上依次叠加至少四层铜金属层，所述铜金属层之间通过导电插塞连接，且所述目标区上的所述导电插塞的密度小于所述衬垫区上的所述导电插塞的密度；通过刻蚀将失效芯片减薄至顶层铜金属层；将减薄后的所述失效芯片湿法刻蚀预设时间后，所述衬垫区上的所述铜金属层的层数小于所述目标区上的所述铜金属层的层数；以及对浸泡后的所述失效芯片进行研磨，直至所述目标区研磨至预设站点。通过本发明提供的一种失效芯片的分析方法，能够提高分析的速度和准确性。