可重复编程的存储器单元、控制方法及非易失性存储器

本发明公开了一种可重复编程的存储器单元、控制方法及非易失性存储器。所述可重复编程的存储器单元包括：衬底；P‑导电类型阱和N‑导电类型阱，位于所述衬底中；以及第一浮置栅极，位于所述P‑导电类型阱和所述N‑导电类型阱之上；第二浮置栅极，位于所述P‑导电类型阱和所述N‑导电类型阱之上；所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极彼此相互隔离；通过第一字线控制栅控制第一浮置栅极的电压，第二字线控制栅控制第二浮置栅极的电压，每个浮置栅极在读取或编程操作时都不会影响到另一浮置栅极，由此在一个存储单元内实现两个比特位信息的存储，相当于记录密度提高了一倍；工序更少，降低了芯片的制造成本。