太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件

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太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件
申请号:CN202410715815
申请日期:2024-06-04
公开号:CN118586058B
公开日期:2025-04-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件,属于光学器件领域,包括以下步骤:S1、构建线性传输琼斯矩阵;S2、基于线性传输琼斯矩阵,设定超单元结构的筛选规则;S3、设计超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布;S4、使用全硅电介质材料依据设计的超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布,构建超表面单元;S5、基于筛选规则,筛选超表面单元组成以π/8为相位梯度,相位从0到2π全覆盖的单元库;S6、基于单元库,利用自动布局算法构建超表面结构。本发明采用上述太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件,实现了在线偏振太赫兹光入射下,超表面分别将左右旋分量聚焦于不同焦焦深处,通过偏振叠加原理,从而实现不同偏振态的生成。
技术关键词
器件设计方法 偏振态 超表面结构 自动布局算法 电介质材料 矩阵 长方体 右旋圆偏振光 线偏振 线性 波束相位 全覆盖 光场调控 电场 立柱 光学器件 基座
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