用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路

本发明涉及一种用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响。该方案理论上可以实现非常好的抗噪能力，只增加了六个PMOS管，一个NLDMOS，一个反向器，结构简单。