LDMOSFET器件及制造方法、芯片

本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法、芯片。所述器件包括：衬底、体区、漂移区、第一浅槽隔离区、源区、漏区和栅极结构，体区和漂移区形成于衬底，第一浅槽隔离区形成于漂移区内，源区形成于体区的表面，漏区形成于漂移区的表面，栅极结构包括：第一多晶硅层、第二多晶硅层以及ONO介质层；第一多晶硅层位于体区上，第二多晶硅层位于漂移区上，ONO介质层位于第二多晶硅层的底部并嵌入漂移区内，ONO介质层与第一浅槽隔离区的靠近源区的一侧相接，并包覆第一浅槽隔离区的靠近源区一侧的尖角；第二多晶硅层、ONO介质层以及第一浅槽隔离区构成场板结构。本发明可以提高器件的击穿电压，并提高可靠性。